企业等级: | 普通会员 |
经营模式: | 生产加工 |
所在地区: | 江苏 苏州 |
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孟先生 先生
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手机号码: | 15190025037 |
公司官网: | www.0512zxy.com |
公司地址: | 苏州市吴中区国家环保产业园 |
发布时间:2020-07-24 02:24:11
振鑫焱光伏科技有限公司常年采购:高价回收硅片,电池片,初级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳能电池,光伏组件,太阳能电池板,客户撤退,降级,库存,El,不良测试,二手,旧,工程,拆卸,路灯,拆解电站,拆卸,胶合板,层压板,无边界晶体硅,多晶硅,单晶硅,实验板,***偿还,返工,深圳拆卸组件,光伏模块回收等。
影响因素
1 .频率
射频 PECVD 系统大都采用 50kHz~13.56 MHz 的工业频段射频电源。较高频率( gt;4MHz )沉积的氮化硅薄膜具有更好的钝化效果和稳定性。
2 .射频功率
增加 RF 功率通常会改善 SiN 膜的质量。但是,功率密度不宜过大,超过 1W/cm2 时器件会造成严重的射频损伤。
3 .衬底温度
PECVD 膜的沉积温度一般为 250 ~ 400 ℃ 。这样能保证氮化硅薄膜在HF 中有足够低的腐蚀速率,并有较低的本征压力,从而有良好的热稳定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉积的氮化硅膜,本征应力很大且为张应力,而温度高于 450 ℃ 时膜容易龟裂。
4 .气体流量
影响氮化硅膜沉积速率的主要气体是 SiH4 。为了防止富硅膜,选择NH3/SiH4=2~20 (体积比)。气体总流量直接影响沉积的均匀性。为了防止反应区下游反应气体因耗尽而降低沉积速率,通常采用较大的气体总流量,以保证沉积的均匀性。
5 .反应气体浓度
SiH4 的百分比浓度及 SiH4/NH3 流量比,对沉积速率、氮化硅膜的组分及***性质均有重大影响。
理想 Si3N4 的 Si/N = 0.75 ,而 PECVD 沉积的氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,但多为富硅膜,可写成 SiN 。因此,必须控制气体中的 SiH4 浓度,不宜过高,并采用较高的 SiN 比。除了 Si 和 N 外, PECVD 的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即 SixNyHZ 或 SiNx :H 。
6 .反应压力、和反应室尺寸 等都是影响氮化硅薄膜的性能工艺参数。
振鑫焱光伏科技有限责任公司长期购置:天价回收硅片,电池片,初中级多晶硅,银浆布,单晶硅,多晶硅,太阳电池,太阳能组件,太阳能光伏板,顾客撤离,退级,库存量,El,欠佳检测,2手,旧,工程项目,拆装,道路路灯,拆卸发电厂,拆装,人造板,层压板,***限结晶硅,多晶硅,单晶硅,试验板,负债还款,返修,旧拆卸组件回收价格,太阳能发电控制模块收购等。
6、加工工艺小圆圈该怎样判?
人们检测处未作退级解决,假如发觉小圆圈的半经超出1.6mm立即向主管意见反馈或告之品管部,PECVD处会立即将高纯石墨舟换下来
7、隐裂片怎样造成?怎样判?
大部分是原料的难题,另一个是影片在外扩散高溫反映后內部分子结构产生撞击。在多芯片里,一些隐裂片裂缝并不是很长,能够按文档规定作需切角。
8、空气氧化的电池片怎样判?
如果不是将其风干,依据空气氧化后得色调判。(淡***)
9、怎样了解跑模产生在哪儿一条?
以料浆的色调来判,第二条豫第三道的料浆是不会改变的,各自是铝浆和银浆,色调各自为深***和乳白色。一层有将会是银浆或银铝浆,银铝浆是灰白,另一个,要看漏浆的部位。
10、对断开未超出2mm的电池片,判断不相同? 先依照文档判断是不是超出规定的总数,如果不是,按断开的显著水平及部位。
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四、 铝珠:
铝珠产生的根本原因是过烧,铝的熔点是660℃,当铝受热超过这一温度时,铝颗粒熔化形成了铝珠。通常,烧结炉的设置温度都远高于这一温度,这里所说的660℃是指电池片表面实际感受的温度,设置的温度虽高,由于烧结炉带速很快,铝层实际感受到的温度是远低于设置温度的。
解决这一问题的办法是降下烧结区温度,或是加快烧结炉的带速,减少热量的给予。此法效果非常明显,铝珠可得到有效控制。另一方面过分降温会损失电池片的电性能数据,那么降到什么程度呢,我们的经验是,降温到电池片背面手感略微粗糙即可。
五、 铝刺:
1、 背场印刷表面不均匀:检查刮条的平整度;
2、 烧结网带不洁净:清洗网带或对忘带进行打磨;
3、 烧结网带抖动严重:由设备人员来调整网带;
4、 烧结温度过高:不影响电性能的情况下降下烧结温度;
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